Skriv ut sida
GAN3R2-100CBEAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
1 318 I Lager
Behöver du fler?
1–3 dagars leverans
Beställ före 17:00 för standardleverans
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 49,260 kr |
| 10+ | 38,390 kr |
| 100+ | 29,790 kr |
| 500+ | 25,340 kr |
| 1000+ | 24,790 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
49,26 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareNEXPERIA
Tillverkarens art.nr.GAN3R2-100CBEAZ
Orderkod4198483
Tekniskt datablad
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Typical Gate Charge9.2nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
60A
Typical Gate Charge
9.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000833
Produktspårbarhet