Skriv ut sida
IXFN210N20P
MOSFET Transistor, N Channel, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
191 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 434,000 kr |
| 5+ | 380,280 kr |
| 10+ | 326,560 kr |
| 50+ | 326,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
434,00 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareLITTELFUSE
Tillverkarens art.nr.IXFN210N20P
Orderkod3930242
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id188A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
On Resistance Rds(on)0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd1.07kW
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktöversikt
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
188A
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.00105ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet