Skriv ut sida
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN80N50
Orderkod7348029
ProduktsortimentHiPerFET Series
Tekniskt datablad
83 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 579,780 kr |
| 5+ | 550,800 kr |
| 10+ | 421,070 kr |
| 50+ | 409,810 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
579,78 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN80N50
Orderkod7348029
ProduktsortimentHiPerFET Series
Tekniskt datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd780W
Power Dissipation780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktöversikt
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tillämpningar
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation Pd
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.234507