Skriv ut sida
IXFN180N25T
MOSFET Transistor, N Channel, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN180N25T
Orderkod3438386
ProduktsortimentGigaMOS
Tekniskt datablad
Lagerförs inte längre
Produktinformation
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN180N25T
Orderkod3438386
ProduktsortimentGigaMOS
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds250V
Drain Source On State Resistance0.0129ohm
On Resistance Rds(on)0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation900W
Power Dissipation Pd900W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGigaMOS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.0129ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
900W
Product Range
GigaMOS
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.004