Skriv ut sida
IXFN132N50P3
MOSFET Transistor, N Channel, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN132N50P3
Orderkod2674760
ProduktsortimentPolar3 HiPerFET
Tekniskt datablad
Lagerförs inte längre
Produktinformation
TillverkareIXYS SEMICONDUCTOR
Tillverkarens art.nr.IXFN132N50P3
Orderkod2674760
ProduktsortimentPolar3 HiPerFET
Tekniskt datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.5kW
Power Dissipation1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
Produktöversikt
Tillämpningar
Medical
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.5kW
Product Range
Polar3 HiPerFET
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:United States
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:United States
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.03
Produktspårbarhet