Skriv ut sida
IPG20N06S4L11ATMA2
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPG20N06S4L11ATMA2
Orderkod3703512RL
ProduktsortimentOptiMOS-T2 Series
Även kalladIPG20N06S4L-11, SP001404020
Tekniskt datablad
20 137 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 9,540 kr |
| 500+ | 7,250 kr |
| 1000+ | 6,700 kr |
| 5000+ | 5,760 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 5
1 004,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPG20N06S4L11ATMA2
Orderkod3703512RL
ProduktsortimentOptiMOS-T2 Series
Även kalladIPG20N06S4L-11, SP001404020
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0095ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0095ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel65W
Power Dissipation P Channel65W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2 Series
QualificationAEC-Q101
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0095ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
65W
Product Range
OptiMOS-T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0095ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000336
Produktspårbarhet