Skriv ut sida
IPG20N04S412AATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPG20N04S412AATMA1
Orderkod3514433
ProduktsortimentOptiMOS T2 Series
Även kalladIPG20N04S4-12A, SP000938098
Tekniskt datablad
2 752 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 13,370 kr |
| 10+ | 9,300 kr |
| 100+ | 6,740 kr |
| 500+ | 5,620 kr |
| 1000+ | 4,920 kr |
| 5000+ | 4,280 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
13,37 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IPG20N04S412AATMA1
Orderkod3514433
ProduktsortimentOptiMOS T2 Series
Även kalladIPG20N04S4-12A, SP000938098
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.011ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.011ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel41W
Power Dissipation P Channel41W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.011ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
41W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.011ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
41W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.00143
Produktspårbarhet