Skriv ut sida
FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.FZ2000R33HE4BOSA1
Orderkod3324632
ProduktsortimentIHM-B Series
Även kalladFZ2000R33HE4, SP003062218
Tekniskt datablad
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 52 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 25 358,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
25 358,00 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.FZ2000R33HE4BOSA1
Orderkod3324632
ProduktsortimentIHM-B Series
Även kalladFZ2000R33HE4, SP003062218
Tekniskt datablad
IGBT ConfigurationSingle Switch
Continuous Collector Current2kA
DC Collector Current2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max3.3kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeIHM-B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Tekniska specifikationer
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
3.3kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
3.3kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
IHM-B Series
Teknisk dokumentation (1)
Tillhörande produkter
2 produkter hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):1.151
Produktspårbarhet