Skriv ut sida
FF450R12KE4EHOSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.FF450R12KE4EHOSA1
Orderkod2781230
ProduktsortimentStandard 62mm C
Även kalladFF450R12KE4_E, SP001186148
Tekniskt datablad
12 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
.
.
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 1 698,000 kr |
| 5+ | 1 568,000 kr |
| 10+ | 1 437,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
1 698,00 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.FF450R12KE4EHOSA1
Orderkod2781230
ProduktsortimentStandard 62mm C
Även kalladFF450R12KE4_E, SP001186148
Tekniskt datablad
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current520A
Continuous Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd2.4kW
Power Dissipation2.4kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode suitable for use in high frequency switching application, high power converters, solar applications and UPS systems.
- Increased DC link voltage
- Trench IGBT 4
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Copper base plate
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
DC Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
2.4kW
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
2.4kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Hungary
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Hungary
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.015
Produktspårbarhet