Skriv ut sida
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Orderkod4125830
ProduktsortimentEasyPACK CoolsiC Series
Även kalladSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
Tekniskt datablad
6 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 2 655,000 kr |
| 5+ | 2 602,000 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
2 655,00 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Orderkod4125830
ProduktsortimentEasyPACK CoolsiC Series
Även kalladSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0172ohm
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK CoolsiC Series
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0172ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Väntar på råd
RoHS-kompatibel för ftalater:Väntar på råd
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad