Skriv ut sida
BSO615NGXUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSO615NGXUMA1
Orderkod3514403RL
ProduktsortimentSIPMOS Series
Även kalladBSO615N G, SP005353857
Tekniskt datablad
2 375 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 7,260 kr |
| 500+ | 5,840 kr |
| 1000+ | 5,000 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
776,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSO615NGXUMA1
Orderkod3514403RL
ProduktsortimentSIPMOS Series
Även kalladBSO615N G, SP005353857
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.6A
Continuous Drain Current Id P Channel2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.12ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.12ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.12ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
SIPMOS Series
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.12ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0005