Skriv ut sida
BSO615CGHUMA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.07 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSO615CGHUMA1
Orderkod2480777RL
Även kalladBSO615C G, SP000216311
Tekniskt datablad
Tillgänglig för beställning
Standard ledtid för tillverkare: 28 vecka(or)
Meddela mig när artikeln finns i lager igen
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 7,090 kr |
| 500+ | 5,820 kr |
| 1000+ | 5,410 kr |
| 5000+ | 4,660 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
759,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSO615CGHUMA1
Orderkod2480777RL
Även kalladBSO615C G, SP000216311
Tekniskt datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The BSO615C G is a SIPMOS® dual N/P-channel enhancement-mode Small Signal Transistor for DC-to-DC converter and on-board charger applications. It is a complementary MOSFET with n-channel and a p-channel power transistor within the same package.
- Avalanche rated
- Logic level
Tillämpningar
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive
Tekniska specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Indonesia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Indonesia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0005
Produktspårbarhet