Skriv ut sida
BSO604NS2XUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSO604NS2XUMA1
Orderkod2725821
ProduktsortimentOptiMOS Series
Även kalladBSO604NS2, SP000396268
Tekniskt datablad
46 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 28,270 kr |
| 10+ | 18,470 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
28,27 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSO604NS2XUMA1
Orderkod2725821
ProduktsortimentOptiMOS Series
Även kalladBSO604NS2, SP000396268
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel5A
Continuous Drain Current Id P Channel5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.031ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
Produktöversikt
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.031ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
OptiMOS Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000265
Produktspårbarhet