Skriv ut sida
BSG0812NDATMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSG0812NDATMA1
Orderkod4344016RL
ProduktsortimentOptiMOS 5 Series
Även kalladSP001164324, BSG0812ND
Tekniskt datablad
4 941 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 10,770 kr |
| 500+ | 9,660 kr |
| 1000+ | 8,910 kr |
| 5000+ | 8,320 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 127,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSG0812NDATMA1
Orderkod4344016RL
ProduktsortimentOptiMOS 5 Series
Även kalladSP001164324, BSG0812ND
Tekniskt datablad
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel50A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel6.25W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
50A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0035ohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0001
Produktspårbarhet