Skriv ut sida
BSC0911NDATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSC0911NDATMA1
Orderkod2480772
Även kalladBSC0911ND, SP000934746
Tekniskt datablad
4 877 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 15,020 kr |
| 10+ | 11,570 kr |
| 100+ | 8,490 kr |
| 500+ | 6,620 kr |
| 1000+ | 6,140 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
15,02 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.BSC0911NDATMA1
Orderkod2480772
Även kalladBSC0911ND, SP000934746
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel900µohm
Drain Source On State Resistance P Channel900µohm
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
900µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
900µohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000186
Produktspårbarhet