Skriv ut sida
AUIRF7343QTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.AUIRF7343QTR
Orderkod2803372RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladAUIRF7343QTR, SP001517450
Tekniskt datablad
12 722 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 18,140 kr |
| 500+ | 14,470 kr |
| 1000+ | 13,130 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
1 864,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.AUIRF7343QTR
Orderkod2803372RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladAUIRF7343QTR, SP001517450
Tekniskt datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Produktöversikt
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000227
Produktspårbarhet