Skriv ut sida
AUIRF7316QTR
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.AUIRF7316QTR
Orderkod2725789RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001518472
Tekniskt datablad
110 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Så långt lagret räcker
| Antal | |
|---|---|
| 50+ | 26,490 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
2 699,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.AUIRF7316QTR
Orderkod2725789RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Även kalladSP001518472
Tekniskt datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.042ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternativ till AUIRF7316QTR
1 produkt hittades
Tekniska specifikationer
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.042ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.042ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Malaysia
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000074
Produktspårbarhet