Skriv ut sida
G2R1000MT17J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareGENESIC
Tillverkarens art.nr.G2R1000MT17J
Orderkod3598650
ProduktsortimentG2R Series
Tekniskt datablad
53 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 68,450 kr |
| 5+ | 64,880 kr |
| 10+ | 61,320 kr |
| 50+ | 58,100 kr |
| 100+ | 54,980 kr |
| 250+ | 52,640 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
68,45 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareGENESIC
Tillverkarens art.nr.G2R1000MT17J
Orderkod3598650
ProduktsortimentG2R Series
Tekniskt datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1.45ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation44W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG2R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktöversikt
G2R1000MT17J is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced ringing, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Tekniska specifikationer
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
1.45ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
44W
Product Range
G2R Series
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:United States
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:United States
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.001393