Skriv ut sida
DMC2038LVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
20 814 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 4,690 kr |
| 50+ | 2,770 kr |
| 100+ | 1,850 kr |
| 500+ | 1,380 kr |
| 1500+ | 1,020 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
23,45 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareDIODES INC.
Tillverkarens art.nr.DMC2038LVT-7
Orderkod3127305
Tekniskt datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.074ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel800mW
Power Dissipation P Channel800mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.074ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
800mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000112
Produktspårbarhet