Skriv ut sida
BC847BS-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
9 439 I Lager
3 000 Nu kan du reservera lagervaror
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 2,330 kr |
| 50+ | 1,410 kr |
| 100+ | 0,875 kr |
| 500+ | 0,642 kr |
| 1500+ | 0,510 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
11,65 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareDIODES INC.
Tillverkarens art.nr.BC847BS-7-F
Orderkod1773587
Tekniskt datablad
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
BC847BS-7-F is a dual NPN transistor for switching and AF amplifier application.
- Ultra-small surface mount package
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C
- Collector-base breakdown voltage is 50V min at IC = 100µA, IB = 0, TA = +25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 45V min at IC = 10mA, IB = 0, TA = +25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 6V min at IE = 100µA, IC = 0, TA = +25°C
- Gain bandwidth product is 100MHz min at VCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 100MHz, TA = +25°C
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000008
Produktspårbarhet