Skriv ut sida
CY7C1049GN30-10VXI
SRAM, Asynchronous SRAM, 4 Mbit, 512K x 8bit, SOJ, 36 Pins, 3.6 V
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.CY7C1049GN30-10VXI
Orderkod2772839
Även kalladSP005648629, CY7C1049GN30-10VXI
Tekniskt datablad
163 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 52,530 kr |
| 10+ | 51,750 kr |
| 25+ | 51,080 kr |
| 50+ | 50,300 kr |
| 100+ | 49,640 kr |
| 250+ | 48,860 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
52,53 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.CY7C1049GN30-10VXI
Orderkod2772839
Även kalladSP005648629, CY7C1049GN30-10VXI
Tekniskt datablad
SRAM TypeAsynchronous SRAM
Memory Density4Mbit
Memory Configuration512K x 8bit
IC Case / PackageSOJ
No. of Pins36Pins
Supply Voltage Min3.6V
Supply Voltage Max2.2V
Supply Voltage Nom-
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
CY7C1049GN30-10VXI is a high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data write is performed by asserting the chip enable (active low CE) and write enable (active low WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data read is performed by asserting the chip enable (active low CE) and output enable (active low OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7). Application includes human machine interface.
- 4-Mbit density, × 8-bits data width, 65nm process technology
- 10ns speed, voltage range from 2.2 to 3.6V
- Operating ICC range from 38mA typ (f=fmax.,TA=25°C, VCC=3V)
- Automatic CE power-down current – CMOS inputs is 6mA typ (Max VCC, 0.2V)
- 1.0V data retention, TTL-compatible inputs and outputs
- Input capacitance is 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ)
- I/O capacitance is 10pF (TA=25°C, f=1MHz, VCC=VCC(typ)
- VCC for data retention is 1V min (-40°C to 85°C)
- 36-pin moulded SOJ package, operating industrial temperature range from -40 to +85°C
Tekniska specifikationer
SRAM Type
Asynchronous SRAM
Memory Configuration
512K x 8bit
No. of Pins
36Pins
Supply Voltage Max
2.2V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
4Mbit
IC Case / Package
SOJ
Supply Voltage Min
3.6V
Supply Voltage Nom
-
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.02268
Produktspårbarhet