Skriv ut sida
IXFN230N20T
MOSFET Transistor, N Channel, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
180 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 355,760 kr |
| 5+ | 337,260 kr |
| 10+ | 318,760 kr |
| 50+ | 300,250 kr |
| 100+ | 281,750 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
355,76 kr (exkl. Moms)
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareLITTELFUSE
Tillverkarens art.nr.IXFN230N20T
Orderkod3930243
Tekniskt datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source Voltage Vds200V
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.09kW
Power Dissipation Pd1.09kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktöversikt
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tekniska specifikationer
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
220A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.09kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.09kW
Product Range
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet