Kraftfulla möjligheter med Microchip SiC

Microchips produktlinje av kiselkarbid (SiC) power MOSFET:ar från Microchip ökar prestandan jämfört med kisel MOSFET- och kisel IGBT-lösningar samtidigt som den totala ägandekostnaden för högspänningstillämpningar sänks.

Microchips SiC-lösningar fokuserar på hög prestanda och bidrar till att maximera systemets effektivitet och minimera systemets vikt och storlek. Microchips beprövade SiC-pålitlighet garanterar också att prestandan inte försämras under slututrustningens livslängd.

Beskrivning

• MOSFET, N-CH, 1,2 KV, 103 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,2 KV, 103 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,2 KV, 37 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,2 KV, 37 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,2 KV, 66 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,7 KV, 68 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,7 KV, 68 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 1,7 KV, 7 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 3,3 KV, 11 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 3,3 KV, 41 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700 V, 140 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700 V, 28 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700 V, 39 A, TO-247
• MOSFET, N-CH, 700 V, 77 A, TO-247

Produktfunktioner

• Låga kapacitanser och låg grindladdning
• Snabb omkopplingshastighet tack vare lågt internt motstånd (ESR)
• Stabil drift vid hög förbindelsetemperatur på 175 grader Celsius
• Snabb och tillförlitlig kroppsdiod
• Överlägsen robusthet vid lavinutbrott
• RoHS-kompatibel

Microchips serie Schottkydioder av kiselkarbid (SBD) förbättrar prestandan jämfört med kiseldioder och sänker samtidigt den totala ägandekostnaden i högspänningstillämpningar.

Beskrivning

• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 10 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 10 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 15 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 20 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 20 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 30 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 30 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,2 KV, 30 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,7 KV, 10 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,7 KV, 30 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 1,7 KV, 50 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 3,3 KV, 184 A, T-MAX
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 3,3 KV, 62 A, TO-247
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 700 V, 10 A, TO-220
• SIC-SCHOTTKY-DIOD, 700 V, 30 A, TO-247

Du kan använda högspänningsutvecklingsutrustningen ASDAK-2ASC-12A1HP-62-DK Augmented Switching accelerated development kit med 1200V SiC MOSFET-moduler. Denna teknik utnyttjar fördelarna med vår 700 V- och 1200 V-teknik för kiselkarbid (SiC) och omfattar den hård- och mjukvara som krävs för att snabbt optimera prestandan hos kiselkarbidmoduler och -system.

Detta nya verktyg gör det möjligt för konstruktörer att justera systemprestanda genom mjukvaruinställningar med hjälp av AgileSwitch® Intelligent Configuration Tool (ICT) och en Device Programmer. Ingen lödning krävs.

ICT erbjuder konfiguration av olika drivparametrar, inklusive on/off-grindspänningar, felnivåer för DC-länk och temperatur samt Augmented Switching-profiler.

Små ändringar av Augmented Switching-profilerna kan ge dramatiska förbättringar av switchingeffektivitet, översteg, ringning och kortslutningsskydd.

Tillämpningar

• Elektriska fordon (EV)
• Elektriska hybridfordon (HEV)
• Smarta likströmsnät
• Industri
• Laddningsstationer

Produktfunktioner

• Kompatibel med 1200V SiC MOSFET-moduler
• Intelligent konfigurationsverktyg (ICT) ingår

Satsen innehåller

• 3x 2ASC-12A1HP - 1200 V kärna
• 1x 62CA1 - 1200 V 62 mm moduladapter
• 1x ASBK-007 enhetsprogrammeringssats
• 1x ICT-programvara