CY14B116N-ZSP25XI

Non-volatile SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 25 ns Read/Write, Parallel, 2.7 V to 3.6 V, TSOP-II-54

Date/Lot Code

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
INFINEON CY14B116N-ZSP25XI
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.CY14B116N-ZSP25XI
Orderkod4127816
Även kalladSP005643927, CY14B116N-ZSP25XI
Tekniskt datablad
Se alla tekniska dokument
219 I Lager

Behöver du fler?

FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
Antal
1+1 140,000 kr
5+1 095,000 kr
10+1 050,000 kr
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
1 140,00 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.

Produktinformation

TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.CY14B116N-ZSP25XI
Orderkod4127816
Även kalladSP005643927, CY14B116N-ZSP25XI
Tekniskt datablad
Memory Density16Mbit
Memory Size16Mbit
Memory Organisation1M x 16bit
Memory Configuration1M x 16bit
Read Access Time25ns
Write Access Time25ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
IC Case / PackageTSOP-II
Memory Case StyleTSOP-II
No. of Pins54Pins
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Produktöversikt

CY14B116N-ZSP25XI is a CY14B116N fast SRAM, with a non-volatile element in each memory cell. The embedded non-volatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable non-volatile memory. The SRAM can be read and written an infinite number of times. The non-volatile data residing in the non-volatile elements do not change when data is written to the SRAM. Data transfers from the SRAM to the non-volatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile memory.

  • 16Mbit non-volatile static random access memory (nvSRAM)
  • Hands-off automatic STORE on power-down with only a small capacitor
  • STORE to QuantumTrap non-volatile elements is initiated by software
  • RECALL to SRAM initiated by software or power-up, high reliability
  • Infinite read, write, and RECALL cycles, 1 million STORE cycles to QuantumTrap
  • Sleep mode operation, low power consumption, active current of 75mA at 45ns
  • Industrial temperature range from –40°C to +85°C
  • 25ns speed, 54-pin TSOP II speed
  • 3V voltage rating, ×16 data bus

Tekniska specifikationer

Memory Density

16Mbit

Memory Organisation

1M x 16bit

Read Access Time

25ns

Supply Voltage Min

2.7V

IC Case / Package

TSOP-II

No. of Pins

54Pins

Interfaces

Parallel

Operating Temperature Min

-40°C

Product Range

-

Memory Size

16Mbit

Memory Configuration

1M x 16bit

Write Access Time

25ns

Supply Voltage Max

3.6V

Memory Case Style

TSOP-II

IC Interface Type

Parallel

IC Mounting

Surface Mount

Operating Temperature Max

85°C

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Teknisk dokumentation (1)

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:
Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja

RoHS

RoHS-kompatibel för ftalater:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad

Certifikat för produktefterlevnad

Vikt (kg):.000638
Produktspårbarhet

Date/Lot Code