Skriv ut sida
SQ4532AEY-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SQ4532AEY-T1_GE3
Orderkod3470717RL
ProduktsortimentTrenchFET Series
Tekniskt datablad
6 725 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 4,320 kr |
| 500+ | 4,130 kr |
| 1000+ | 3,980 kr |
| 5000+ | 3,840 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
482,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Lägg till artikelnummer / Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareVISHAY
Tillverkarens art.nr.SQ4532AEY-T1_GE3
Orderkod3470717RL
ProduktsortimentTrenchFET Series
Tekniskt datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.3W
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniska specifikationer
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Germany
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0001
Produktspårbarhet