Skriv ut sida
STP120NF10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STP120NF10
Orderkod1611428
ProduktsortimentSTP
Tekniskt datablad
951 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 44,270 kr |
| 10+ | 24,910 kr |
| 100+ | 20,890 kr |
| 500+ | 18,060 kr |
| 1000+ | 17,620 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
44,27 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareSTMICROELECTRONICS
Tillverkarens art.nr.STP120NF10
Orderkod1611428
ProduktsortimentSTP
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation312W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The STP120NF10 is a N-channel Power MOSFET, STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize the on-resistance. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.
- Exceptional dv/dt Capability
- 100% Avalanche Tested
- Application Oriented Characterization
Tillämpningar
Audio, Signal Processing
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
312W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Morocco
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Morocco
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.002717