Skriv ut sida
FDMS86255
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDMS86255
Orderkod2825179
ProduktsortimentPowerTrench
Tekniskt datablad
14 874 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
.
.
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 34,060 kr |
| 10+ | 27,490 kr |
| 100+ | 22,820 kr |
| 500+ | 20,370 kr |
| 1000+ | 19,700 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
34,06 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDMS86255
Orderkod2825179
ProduktsortimentPowerTrench
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0124ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation113W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktöversikt
FDMS86255 is a N-channel, shielded gate, POWERTRENCH MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using onsemi advanced POWERTRENCH process that incorporates shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. Typical applications are OringFET / load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low RDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 150V at TA = 25°C
- Gate to source voltage is ±20V at TA = 25°C
- Drain current is 62A at continuous, TC = 25°C
- Single pulse avalanche energy is 541mJ at TA = 25°C
- Power dissipation is 113W at TC = 25°C
- PQFN8 package
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
113W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0124ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0004