Skriv ut sida
FDH055N15A
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDH055N15A
Orderkod2825158
ProduktsortimentPowerTrench
Tekniskt datablad
2 998 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
.
.
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 59,070 kr |
| 5+ | 49,930 kr |
| 10+ | 40,680 kr |
| 50+ | 38,620 kr |
| 100+ | 37,860 kr |
| 250+ | 37,090 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
59,07 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareONSEMI
Tillverkarens art.nr.FDH055N15A
Orderkod2825158
ProduktsortimentPowerTrench
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id156A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation429W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktöversikt
FDH055N15A is a N-channel, POWERTRENCH® MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using Onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance. The application includes synchronous rectification for ATX / sever / telecom PSU, battery protection circuit, motor drives and uninterruptible power supplies, micro solar inverter.
- Fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability
- High performance trench technology for extremely low RDS(on)
- Static drain to source on resistance is 4.8mohm typ (VGS = 10V, ID = 120A, TC = 25°C)
- Drain to source breakdown voltage is 150V min (ID = 250µA, VGS = 0V, TC = 25°C)
- Breakdown voltage temperature coefficient is 0.1V/°C typ (ID = 250µA, Referenced to 25°C)
- Gate threshold voltage range from 2.0 to 4.0V (VGS = VDS, ID = 250µA, 25°C)
- Input capacitance is 7100pF typ (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Output capacitance is 664pF typ (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Power dissipation is 429W (25°C)
- TO−247−3LD package, operating temperature range from -55 to + 175°C
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
156A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
429W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentation (2)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Y-Ex
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.006867
Produktspårbarhet