Skriv ut sida
SPA07N60C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-220F, Through Hole
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.SPA07N60C3XKSA1
Orderkod1471767
Även kalladSPA07N60C3, SP000216303
Tekniskt datablad
494 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
.
.
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 30,490 kr |
| 10+ | 30,380 kr |
| 100+ | 13,750 kr |
| 500+ | 10,260 kr |
| 1000+ | 9,580 kr |
Pris för:Each
Minimum: 1
Flera: 1
30,49 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.SPA07N60C3XKSA1
Orderkod1471767
Även kalladSPA07N60C3, SP000216303
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
The SPA07N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for server, telecom, PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Fully isolated package
- Low specific ON-state resistance
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Tillämpningar
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.3A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:South Korea
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0018
Produktspårbarhet