Skriv ut sida
IRL7486MTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRL7486MTRPBF
Orderkod2577179
ProduktsortimentStrongIRFET Series
Även kalladSP001567046
Tekniskt datablad
18 685 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 1+ | 11,530 kr |
| 10+ | 10,850 kr |
| 100+ | 9,410 kr |
| 500+ | 7,760 kr |
| 1000+ | 7,090 kr |
| 5000+ | 6,050 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Flera: 1
11,53 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Detta nummer kommer att läggas till i orderbekräftelsen, fakturan, fraktsedeln, e-postmeddelandet med webbbekräftelse och produktetiketten.
Produktinformation
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IRL7486MTRPBF
Orderkod2577179
ProduktsortimentStrongIRFET Series
Även kalladSP001567046
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id209A
Drain Source On State Resistance1250µohm
Transistor Case StyleDirectFET ME
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktöversikt
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Varningar
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
209A
Transistor Case Style
DirectFET ME
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1250µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET Series
MSL
MSL 2 - 1 year
Teknisk dokumentation (2)
Tillhörande produkter
1 produkt hittades
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Mexico
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Mexico
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.0001
Produktspårbarhet