Skriv ut sida
IGLD65R110D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Surface Mount
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
TillverkareINFINEON
Tillverkarens art.nr.IGLD65R110D2AUMA1
Orderkod4680828RL
Även kalladIGLD65R110D2, SP005918714
Tekniskt datablad
1 884 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 100+ | 24,370 kr |
| 500+ | 21,590 kr |
| 1000+ | 20,590 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Flera: 1
2 487,00 kr (exkl. Moms)
En 50,00 kr avgift för omspolning läggs till för den här produkten
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Tekniska specifikationer
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
14A
Typical Gate Charge
2.4nC
Teknisk dokumentation (1)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:Philippines
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Väntar på råd
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000001
Produktspårbarhet