Skriv ut sida
Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.
32 917 I Lager
Behöver du fler?
FRI standardleverans
på beställningar över 0,00 kr
EXPRESSLEVERERANS möjligt
Beställ före kl. 17:00
Exakt leveranstid beräknas i kassan
| Antal | |
|---|---|
| 5+ | 4,360 kr |
| 50+ | 2,190 kr |
| 100+ | 1,160 kr |
| 500+ | 1,130 kr |
| 1500+ | 1,110 kr |
Pris för:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Flera: 5
21,80 kr (exkl. Moms)
Radkommentar
Läggs till i orderbekräftelsen, fakturan och leveransbeskedet endast för denna order.
Produktinformation
TillverkareDIODES INC.
Tillverkarens art.nr.DMN2004K-7
Orderkod1713842
Tekniskt datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktöversikt
The DMN2004K-7 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It has been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- ESD Protected up to 2KV
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Tillämpningar
Power Management, Aerospace, Defence, Military, Automotive
Tekniska specifikationer
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentation (3)
Lagstiftning och miljö
Ursprungsland:
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördesUrsprungsland:China
Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes
Tariffnr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibelt:Ja
RoHS
RoHS-kompatibel för ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Hämta certifikat för produktefterlevnad
Certifikat för produktefterlevnad
Vikt (kg):.000008