Low

ON SEMICONDUCTOR  NTLJD3119CTBG  Dubbel MOSFET, N och P Kanal, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV

ON SEMICONDUCTOR NTLJD3119CTBG
Technical Data Sheet (169.97KB) EN Se alla tekniska dokument

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.

Produktöversikt

The NTLJD3119CTBG is a N/P-channel complementary MOSFET designed for load management devices like PDAs, Cellular Phones and Hard Drives. It is suitable for synchronous DC-to-DC conversion circuits and colour display, camera flash regulator applications.
  • Package with exposed drain pad for excellent thermal conduction
  • Footprint same as SC-88 package
  • Leading Edge Trench technology for low ON-resistance
  • 1.8V Gate threshold voltage
  • Low profile (<0.8mm) for easy fit in thin environments

Produktinformation

Transistorpolaritet:
N och P Kanal
Kontinuerlig Urladdningsström (Id):
4.6A
Spänning Vds (drain-source):
20V
Motstånd Rds(on), Påslaget läge:
0.037ohm
Rds(på) testspänning Vgs:
4.5V
Tröskelspänning Vgs:
700mV
Effektförlust Pd:
2.3W
Transistorkapsel utförande:
WDFN
Antal stift (pins):
6Stift
Drifttemperatur Max:
150°C
Produktsortiment:
-
Kvalificeringsstandarder för fordon:
-
SVHC-ämne:
No SVHC (17-Dec-2015)
MSL livslängd:
MSL 1 - Obegränsad

Hitta liknande produkter  grupperade efter gemensamma attribut

Tillämpningar

  • Industri;
  • Kraftsystem Management;
  • Bärbara Enheter

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
China

Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes

RoHS-kompatibelt:
Ja
Tariffnr:
85412900
Vikt (kg):
.000005