Low

NXP  BSH205,215  MOSFET transistor, P Kanal, 750 mA, -12 V, 180 mohm, -4.5 V, 680 mV

NXP BSH205,215
Technical Data Sheet (112.46KB) EN Se alla tekniska dokument

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.

Produktinformation

Transistorpolaritet:
P Kanal
Kontinuerlig Urladdningsström (Id):
750mA
Spänning Vds (drain-source):
-12V
Motstånd Rds(on), Påslaget läge:
0.18ohm
Rds(på) testspänning Vgs:
-4.5V
Tröskelspänning Vgs:
680mV
Effektförlust Pd:
417mW
Transistorkapsel utförande:
SOT-23
Antal stift (pins):
3Stift
Drifttemperatur Max:
150°C
Produktsortiment:
-
Kvalificeringsstandarder för fordon:
-
SVHC-ämne:
No SVHC (17-Dec-2015)
MSL livslängd:
MSL 1 - Obegränsad

Hitta liknande produkter  grupperade efter gemensamma attribut

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
China

Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes

RoHS-kompatibelt:
Ja
Tariffnr:
85412900
Vikt (kg):
.000008