Low

IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR32N170AH1  IGBT singeltransistor, 26 A, 5.2 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS-247, 3 Stift

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170AH1
Technical Data Sheet (519.15KB) EN Se alla tekniska dokument

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.

Produktinformation

DC kollektorström:
26A
Kollektor-emitter mättningsspänning Vce(on):
5.2V
Effektförlust Pd:
200W
Kollektor-Emitter Spänning V(br)ceo:
1.7kV
Transistorkapsel utförande:
ISOPLUS-247
Antal stift (pins):
3Stift
Drifttemperatur Max:
150°C
Produktsortiment:
-
Kvalificeringsstandarder för fordon:
-
SVHC-ämne:
No SVHC (15-Jun-2015)
MSL livslängd:
-

Hitta liknande produkter  grupperade efter gemensamma attribut

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
Germany

Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes

RoHS-kompatibelt:
Ja
Tariffnr:
85412900
Vikt (kg):
.005

Liknande produkter