Low

INFINEON  IRFB812PBF  MOSFET transistor, N Kanal, 3.6 A, 500 V, 1.75 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IRFB812PBF
Technical Data Sheet (254.28KB) EN Se alla tekniska dokument

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.

Produktinformation

Transistorpolaritet:
N Kanal
Kontinuerlig Urladdningsström (Id):
3.6A
Spänning Vds (drain-source):
500V
Motstånd Rds(on), Påslaget läge:
1.75ohm
Rds(på) testspänning Vgs:
10V
Tröskelspänning Vgs:
3V
Effektförlust Pd:
78W
Transistorkapsel utförande:
TO-220AB
Antal stift (pins):
3Stift
Drifttemperatur Max:
150°C
Produktsortiment:
-
Kvalificeringsstandarder för fordon:
-
SVHC-ämne:
No SVHC (17-Dec-2015)
MSL livslängd:
-

Hitta liknande produkter  grupperade efter gemensamma attribut

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
Mexico

Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes

RoHS-kompatibelt:
Ja
Tariffnr:
85412900
Vikt (kg):
.00195