Low

INFINEON  IRF7779L2TR1PBF  MOSFET transistor, N Kanal, 11 A, 150 V, 9 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRF7779L2TR1PBF
Tillverkare:
INFINEON INFINEON
Tillverkarens art.nr.:
IRF7779L2TR1PBF
Orderkod:
1791559RL
Tekniskt datablad:
Se alla tekniska dokument

Bilden är enbart avsedd som illustration. Se produktbeskrivningen.

Produktöversikt

The IRF7779L2TR1PBF is a DirectFET™ N-channel Power MOSFET ideal for high performance isolated converter and primary switch socket. It combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve...
  • Low conduction losses
  • High CdV/dt immunity
  • Dual-sided cooling compatible
  • Compatible with existing surface-mount techniques

Produktinformation

Transistorpolaritet:
N Kanal
Kontinuerlig Urladdningsström (Id):
11A
Spänning Vds (drain-source):
150V
Motstånd Rds(on), Påslaget läge:
0.009ohm
Rds(på) testspänning Vgs:
10V
Tröskelspänning Vgs:
4V
Effektförlust Pd:
125W
Transistorkapsel utförande:
DirectFET L8
Antal stift (pins):
5Stift
Drifttemperatur Max:
175°C
Produktsortiment:
-
Kvalificeringsstandarder för fordon:
-
SVHC-ämne:
No SVHC (17-Dec-2015)
MSL livslängd:
MSL 1 - Obegränsad

Hitta liknande produkter  grupperade efter gemensamma attribut

Tillämpningar

  • Kraftsystem Management

Lagstiftning och miljö

Ursprungsland:
Mexico

Det land där den sista betydelsefulla tillverkningsprocessen utfördes

RoHS-kompatibelt:
Ja
Tariffnr:
85412900
Vikt (kg):
.001